時間：2025/5/15 12:20:11
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BSC059N04LSG 是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的 N 灃道場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。該器件采用先進的溝槽式 MOSFET 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)以及其他功率管理電路。
這款 MOSFET 的封裝形式為 SuperSO8，支持表面貼裝技術(shù)（SMT），非常適合用于需要緊湊型設(shè)計的電子設(shè)備中。
最大漏源電壓：40V
最大連續(xù)漏極電流：9A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
柵極電荷：27nC（典型值）
總功耗：2.3W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：SuperSO8
BSC059N04LSG 的核心優(yōu)勢在于其極低的導(dǎo)通電阻，這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。此外，它還具備快速開關(guān)性能，能夠有效降低開關(guān)損耗。器件內(nèi)部集成了一個二極管，可以提供反向電池保護功能。同時，該器件具有出色的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持可靠的運行。
此外，BSC059N04LSG 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，并通過了 AEC-Q101 認(rèn)證，適用于汽車級應(yīng)用。它的短路耐受能力較強，能夠在極端條件下提供額外的安全保障。
得益于其緊湊的 SuperSO8 封裝，該器件非常適合用于空間受限的設(shè)計環(huán)境。同時，其低電感設(shè)計有助于減少寄生效應(yīng)，從而提升系統(tǒng)性能。
BSC059N04LSG 廣泛應(yīng)用于各類功率轉(zhuǎn)換和控制場景，例如：
- 開關(guān)電源（SMPS）
- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
- 電機驅(qū)動電路
- 電池管理系統(tǒng)（BMS）
- 工業(yè)自動化控制
- 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護電路
- 通信設(shè)備中的功率管理模塊
由于其卓越的性能和可靠性，這款 MOSFET 在消費電子、工業(yè)以及汽車市場中均表現(xiàn)出色。
BSC056N04LS，BSC058N04LS，IRLB8721PBF
