H5TQ4G63EFR-TEC 是一款由海力士(SK Hynix)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,采� TLC(Triple-Level Cell)技�。該芯片具有高密度存儲能力和較低的功�,適用于需要大容量存儲的嵌入式系統(tǒng)和消費類電子設備,例如固�(tài)硬盤(SSD)、USB 閃存�、內(nèi)存卡等。其設計�(yōu)化了�(shù)�(jù)讀寫性能,并支持多種接口標準以適應不同的應用需求�
該型號屬于海力士� 48 � 3D NAND 系列,提供高� 512Gb 的存儲容量(未格式化),并具備良好的可靠性和耐用��
容量�512Gb (64GB)
工藝技術:48� 3D TLC NAND
接口類型:Toggle Mode 2.0 � ONFI 3.0
工作電壓:Core Voltage (Vcc): 1.8V ± 0.1V, I/O Voltage (Vccq): 1.8V ± 0.1V
封裝形式:WSON48 封裝
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可� 400 MT/s
擦寫壽命:約 1000 �
工作溫度范圍�0°C � 70°C (商用�)
H5TQ4G63EFR-TEC 使用 TLC 存儲單元結構,每個存儲單元可以保� 3 位數(shù)�(jù),從而實�(xiàn)了更高的存儲密度和更低的成本。它支持 Toggle DDR 2.0 接口�(xié)議,能夠提供更快的數(shù)�(jù)傳輸速度和更低的延遲。此�,該芯片�(nèi)� ECC(Error Correction Code)引擎,增強了數(shù)�(jù)的完整性和可靠��
其低功耗設計特別適合移動設備和對能效要求較高的場景。同�,該芯片通過先進的制造工�,在保證高性能的同時減少了芯片面積,從而降低了整體成本�
另外,H5TQ4G63EFR-TEC 提供全面的壞塊管理功�,可有效延長�(chǎn)品使用壽�,并支持多頁面編程操�,進一步提升寫入效��
H5TQ4G63EFR-TEC 廣泛應用于各種需要非易失性存儲的場合,包括但不限于:
- 固態(tài)硬盤(SSD�
- USB 閃存�
- 微型 SD 卡及其它存儲�
- 嵌入式存儲模塊(� eMMC � UFS�
- 工業(yè)控制設備中的日志記錄與數(shù)�(jù)存儲
- 智能家居設備和物�(lián)�(wǎng)終端的數(shù)�(jù)緩存
- 車載信息娛樂系統(tǒng)中的媒體存儲
由于其出色的性價比和大容量特�,這款芯片非常適合大規(guī)模量�(chǎn)的產(chǎn)品線�
H5TC4G63AFR-TNC, H5TC4G63BFR-TNC