BSC080P03LSG是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用了先進的功率半導體制造工�,具有低導通電阻、快速開關速度和高效率的特�。它適用于各種電源管理應用,例如DC-DC轉換�、電機驅動器、負載開關和電池保護電路�。其封裝形式為SOT23-3L,體積小�,非常適合對空間要求較高的設��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻(典型值)�45mΩ
柵極閾值電壓:1.6V~2.5V
最大功耗:420mW
工作溫度范圍�-55℃~150�
封裝形式:SOT23-3L
1. 低導通電阻確保了更高的效率和更低的功率損��
2. 小型化的SOT23-3L封裝使其適合用于空間受限的應用場��
3. 較寬的工作溫度范圍,能夠適應惡劣的環(huán)境條��
4. 快速開關性能有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
5. 高可靠性設�,能夠在長時間運行中保持�(wěn)定的性能�
該器件廣泛應用于便攜式電子設備、消費類電子產品以及工業(yè)控制領域。具體應用包括:
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流和降壓轉換�
2. 電池供電設備中的負載開關和保護電��
3. 小型電機驅動和控制�
4. 各種便攜式設備的電源管理模塊�
5. 過流保護和短路保護電路的設計�
BSC080P03NSG, BSC090P03LSG