您好，歡迎來到維庫電子市場網(wǎng)
登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
時(shí)間：2025/5/24 18:09:49
閱讀：17
BSL202SNH6327是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其設(shè)計(jì)適用于需要高效能和高可靠性的電源管理應(yīng)用。這種MOSFET通常被用作功率開關(guān)或負(fù)載開關(guān)，在各種電子系統(tǒng)中提供高效的電流控制。該型號(hào)支持較高的連續(xù)漏極電流，并且能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
由于其優(yōu)異的電氣特性和緊湊的封裝形式，BSL202SNH6327非常適合消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及通信設(shè)備中的多種應(yīng)用場景。
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds：60V
最大柵源電壓Vgs：±20V
連續(xù)漏極電流Id：105A
脈沖漏極電流Ibm：380A
導(dǎo)通電阻Rds(on)：1.4mΩ（在Vgs=10V時(shí)）
柵極電荷Qg：85nC
反向恢復(fù)時(shí)間Trr：29ns
工作溫度范圍Tj：-55℃至+175℃
BSL202SNH6327具備非常低的導(dǎo)通電阻，這使其在高電流應(yīng)用中能夠顯著減少功率損耗并提高效率。此外，其快速的開關(guān)速度和低柵極電荷使得它在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
該器件采用了高級(jí)封裝技術(shù)，確保了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。其高電流承載能力和寬泛的工作溫度范圍進(jìn)一步增強(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的可靠性。
BSL202SNH6327還具有出色的雪崩耐量能力，能夠在異常條件下提供額外的保護(hù)功能。這些特點(diǎn)共同決定了這款MOSFET在現(xiàn)代電子設(shè)備中的廣泛應(yīng)用價(jià)值。
BSL202SNH6327主要應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路以及逆變器等場景。它的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻特別適合于筆記本電腦適配器、服務(wù)器電源、電動(dòng)工具以及其他便攜式電子設(shè)備的電源管理系統(tǒng)。
此外，該器件也可用于汽車電子領(lǐng)域，例如車載充電器、LED照明驅(qū)動(dòng)以及啟動(dòng)馬達(dá)控制等場合。在通信基礎(chǔ)設(shè)施中，如基站電源和網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)電源模塊，同樣可以發(fā)揮重要作用。
BSL202SNH6328, BSL203SNH6327
