BSS131H6327XTSA1 是一款基� N 溝道增強� MOSFET 的功率晶體管。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關速度和優(yōu)異的熱性能,適用于多種電源管理及信號切換應�。其封裝形式� SOT-23 封裝,具備小尺寸、高可靠性的特點,非常適合空間受限的設計場景�
這款 MOSFET 廣泛應用于消費電�、通信設備以及工業(yè)控制等領�,例如負載開�、DC-DC 轉換器、電機驅動等電路��
最大漏源電�(Vds)�50V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�0.4A
導通電�(Rds(on))�2.9Ω(典型�,在 Vgs=10V 時)
功�(PD)�480mW(在 Ta=25°C 條件下)
工作結溫范圍(Tj)�-55°C � +150°C
封裝形式:SOT-23
1. 極低的導通電阻確保了更高的效率和更低的功��
2. 快速開關性能使其適用于高頻開關應用�
3. 高靜電防護能力提升了器件的可靠��
4. 小型化封裝節(jié)省了 PCB 空間,簡化了系統(tǒng)設計�
5. 支持寬范圍的工作溫度,適應各種環(huán)境條��
1. 手機和平板電腦中的負載開關�
2. DC-DC 轉換器和降壓升壓轉換模塊�
3. 電池供電設備中的電源管理單元�
4. 便攜式電子產品中的小型電機驅��
5. 各種保護電路如過流保護和短路保護�
BSS138, BSS84