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BSS138K 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/30 19:55:45 查看 閱讀:32

BSS138K 是一種 N 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件通常用于模擬和數(shù)字電路中的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用。BSS138K 的封裝形式一般為 SOT-23,這使得它非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。其主要特點(diǎn)是低柵極電荷、快速開(kāi)關(guān)性能以及良好的導(dǎo)通電阻特性。
  由于 BSS138K 具有較低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)速度,因此在便攜式設(shè)備、電池供電設(shè)備以及其他對(duì)功耗敏感的應(yīng)用中非常受歡迎。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:200mA
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.4Ω(在 Vgs=10V 時(shí))
  柵極電荷:2nC
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃

特性

BSS138K 屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 高開(kāi)關(guān)速度:由于其低柵極電荷特性,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān),適用于高頻應(yīng)用。
  2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on) 在典型條件下僅為 5.4Ω,有助于降低導(dǎo)通損耗并提高效率。
  3. 小尺寸封裝:采用 SOT-23 封裝,適合高密度設(shè)計(jì)和小型化產(chǎn)品。
  4. 寬工作溫度范圍:能夠在 -55℃ 至 +150℃ 的溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
  5. 良好的靜電防護(hù)能力:內(nèi)置 ESD 保護(hù)設(shè)計(jì),增強(qiáng)了器件的可靠性。

應(yīng)用

BSS138K 廣泛應(yīng)用于多種電子領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
  1. 開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流開(kāi)關(guān)。
  2. 電池管理系統(tǒng)的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
  3. 各種保護(hù)電路,如過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)等。
  4. 通信設(shè)備中的信號(hào)切換。
  5. 工業(yè)控制中的驅(qū)動(dòng)電路和接口電路。
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的音頻信號(hào)處理和放大功能。

替代型號(hào)

BSS138
  BSS84
  2N7000

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bss138k參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C220mA
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 歐姆 @ 50mA,5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs2.4nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds58pF @ 25V
  • 功率 - 最大350mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSS138KTR