時(shí)間：2025/4/27 9:24:59
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BSZ0506NSATMA1 是一款采用小型化 SOT23-3L 封裝的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件適用于需要低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的應(yīng)用場景，如負(fù)載開關(guān)、電源管理模塊、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及便攜式電子設(shè)備中的功率控制。其工作電壓范圍廣，支持高效率和緊湊設(shè)計(jì)的需求。
由于其封裝小巧且電氣性能優(yōu)越，這款 MOSFET 廣泛用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)控制和通信設(shè)備中。
最大漏源電壓(VDS)：60V
柵極閾值電壓(VGS(th))：1.8V~3V
最大漏極電流(ID)：5.6A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：75mΩ（典型值，在 VGS=4.5V 時(shí)）
功耗(PD)：525mW
工作溫度范圍(TJ)：-55℃~150℃
BSZ0506NSATMA1 的主要特性包括：
1. 高效的低導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，能夠降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力，支持高頻操作以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。
3. 提供靜電放電(ESD)保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的可靠性。
4. 小尺寸 SOT23-3L 封裝，節(jié)省了 PCB 空間。
5. 寬泛的工作電壓范圍 (VDS)，使其適合多種應(yīng)用場景。
6. 可靠性高，能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
這些特性使得 BSZ0506NSATMA1 成為許多高性能應(yīng)用的理想選擇。
BSZ0506NSATMA1 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子產(chǎn)品的負(fù)載開關(guān)。
2. 開關(guān)模式電源(SMPS)及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率控制。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的過流保護(hù)電路。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號切換和驅(qū)動(dòng)。
5. 汽車電子中的輔助電路設(shè)計(jì)。
憑借其優(yōu)異的電氣特性和小尺寸封裝，該 MOSFET 在各類對空間和效率有嚴(yán)格要求的場景中表現(xiàn)出色。
BSZ0506NSATMA1L
BSZ0506NSATMA2
BSZ0506NSATMA3
