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BSZ0506NSATMA1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/27 9:24:59 查看 閱讀:32

BSZ0506NSATMA1 是一款采用小型化 SOT23-3L 封裝的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件適用于需要低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的應(yīng)用場景,如負(fù)載開關(guān)、電源管理模塊、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及便攜式電子設(shè)備中的功率控制。其工作電壓范圍廣,支持高效率和緊湊設(shè)計(jì)的需求。
  由于其封裝小巧且電氣性能優(yōu)越,這款 MOSFET 廣泛用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)控制和通信設(shè)備中。

參數(shù)

最大漏源電壓(VDS):60V
  柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3V
  最大漏極電流(ID):5.6A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,在 VGS=4.5V 時(shí))
  功耗(PD):525mW
  工作溫度范圍(TJ):-55℃~150℃

特性

BSZ0506NSATMA1 的主要特性包括:
  1. 高效的低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)能力,支持高頻操作以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。
  3. 提供靜電放電(ESD)保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件的可靠性。
  4. 小尺寸 SOT23-3L 封裝,節(jié)省了 PCB 空間。
  5. 寬泛的工作電壓范圍 (VDS),使其適合多種應(yīng)用場景。
  6. 可靠性高,能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  這些特性使得 BSZ0506NSATMA1 成為許多高性能應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

BSZ0506NSATMA1 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子產(chǎn)品的負(fù)載開關(guān)。
  2. 開關(guān)模式電源(SMPS)及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率控制。
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的過流保護(hù)電路。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號切換和驅(qū)動(dòng)。
  5. 汽車電子中的輔助電路設(shè)計(jì)。
  憑借其優(yōu)異的電氣特性和小尺寸封裝,該 MOSFET 在各類對空間和效率有嚴(yán)格要求的場景中表現(xiàn)出色。

替代型號

BSZ0506NSATMA1L
  BSZ0506NSATMA2
  BSZ0506NSATMA3

bsz0506nsatma1推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

bsz0506nsatma1產(chǎn)品

bsz0506nsatma1參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量81,344現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥8.51000剪切帶(CT)5,000 : ¥3.42609卷帶(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)30 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)15A(Ta),40A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)4.4 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)950 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.1W(Ta),27W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-TSDSON-8-FL
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN