BSZ067N06LS3G 是一款由 Nexperia(前身為 NXP 的標(biāo)�(zhǔn)�(chǎn)品業(yè)�(wù)部)生產(chǎn)的功� MOSFET,具體屬于邏輯電平驅(qū)�(dòng)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 DPAK 封裝,廣泛應(yīng)用于需要高效能和低�(dǎo)通電阻的場景�。由于其低導(dǎo)通電阻特�,它在開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
BSZ067N06LS3G 在設(shè)�(jì)�(shí)考慮了高效率和低損耗的需�,使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇,尤其是在便攜式電子�(chǎn)品中�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極-源極電壓(Vgs(th)):1V�4V
功耗:209W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
BSZ067N06LS3G 的主要特性包括超低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使得其傳導(dǎo)損耗非常小,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�。此�,其較高的雪崩能量能力增�(qiáng)了器件的魯棒�。邏輯電平驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)使該 MOSFET 可以直接與大多數(shù)微控制器或數(shù)字邏輯電路配合使�,而無需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
其他重要特性還包括�
- 高效開關(guān)性能,減少開�(guān)損耗�
- 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適合汽車級(jí)�(yīng)用�
- 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)行�
- 具備快速開�(guān)速度,適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器和其他高頻�(yīng)��
- 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
該器件廣泛用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
- 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
- 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)中的功率�(jí)元件�
- 各種�(fù)載開�(guān)�(yīng)用場�,例如服�(wù)�、筆記本電腦和消�(fèi)類電子設(shè)��
- 汽車電子系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換和�(fù)載管理�
- 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(yīng)用中的功率調(diào)節(jié)模塊�
BSC067N06NS3G, BSS84