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BSZ067N06LS3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 12:18:53 查看 閱讀�16

BSZ067N06LS3G 是一款由 Nexperia(前身為 NXP 的標(biāo)�(zhǔn)�(chǎn)品業(yè)�(wù)部)生產(chǎn)的功� MOSFET,具體屬于邏輯電平驅(qū)�(dòng)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 DPAK 封裝,廣泛應(yīng)用于需要高效能和低�(dǎo)通電阻的場景�。由于其低導(dǎo)通電阻特�,它在開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  BSZ067N06LS3G 在設(shè)�(jì)�(shí)考慮了高效率和低損耗的需�,使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇,尤其是在便攜式電子�(chǎn)品中�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�48A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
  柵極-源極電壓(Vgs(th)):1V�4V
  功耗:209W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

BSZ067N06LS3G 的主要特性包括超低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使得其傳導(dǎo)損耗非常小,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�。此�,其較高的雪崩能量能力增�(qiáng)了器件的魯棒�。邏輯電平驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)使該 MOSFET 可以直接與大多數(shù)微控制器或數(shù)字邏輯電路配合使�,而無需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
  其他重要特性還包括�
  - 高效開關(guān)性能,減少開�(guān)損耗�
  - 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適合汽車級(jí)�(yīng)用�
  - 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)行�
  - 具備快速開�(guān)速度,適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器和其他高頻�(yīng)��
  - 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�

�(yīng)�

該器件廣泛用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
  - 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)中的功率�(jí)元件�
  - 各種�(fù)載開�(guān)�(yīng)用場�,例如服�(wù)�、筆記本電腦和消�(fèi)類電子設(shè)��
  - 汽車電子系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換和�(fù)載管理�
  - 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(yīng)用中的功率調(diào)節(jié)模塊�

替代型號(hào)

BSC067N06NS3G, BSS84

bsz067n06ls3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsz067n06ls3g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ067N06LS3G BSZ067N06LS3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 單路
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.7 毫歐 @ 20A, 10V
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 35µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss)5100pF @ 30V
  • 功率 - 最�69W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ067N06LS3GINTR BSZ067N06LS3GZT SP000451080