BSZ520N15NS3G 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的溝槽式技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為 TO-263-3 (DPAK),適用于多種工業(yè)及消費(fèi)類電子應(yīng)用。該芯片主要面向中等電壓范圍的應(yīng)用場景,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和控制功能。
BSZ520N15NS3G 的額定耐壓為 150V,并且在較低的柵極驅(qū)動電壓下即可實現(xiàn)良好的性能表現(xiàn)。因此,它非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源 (SMPS) 等領(lǐng)域。
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流:8.9A
導(dǎo)通電阻(典型值,在 VGS=10V 時):0.14Ω
柵極電荷:17nC
反向恢復(fù)時間:8ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝形式:TO-263-3 (DPAK)
BSZ520N15NS3G 具有以下顯著特點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 高速開關(guān)能力,能夠支持高頻開關(guān)應(yīng)用,減少磁性元件尺寸和系統(tǒng)成本。
3. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路,提升了器件的可靠性。
4. 較小的封裝體積使得 PCB 布局更加靈活,同時改善了散熱性能。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
6. 支持較寬的工作溫度范圍,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
BSZ520N15NS3G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),例如適配器和充電器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓以及反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
3. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
4. 各類電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,如家用電器中的小型電機(jī)控制。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. LED 驅(qū)動器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。
BSC016N06NS3, BSS123, IRF540N