BTS5234G是一款由英飛凌(Infineon)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET智能功率級模塊,專為需要高效能和高可靠性的負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件集成了驅(qū)動器IC、功率MOSFET和電流檢測功能,適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電壓調(diào)節(jié)模塊以及各種電源管理場景。BTS5234G采用小型化的PowerSTAIK SMD封裝形式,能夠顯著減少PCB空間占用并提升散熱性能。
BTS5234G內(nèi)部的MOSFET經(jīng)過優(yōu)化,具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而降低了傳導(dǎo)損耗并提升了整體效率。同時,其內(nèi)置的電流檢測功能允許實(shí)時監(jiān)控負(fù)載電流,有助于實(shí)現(xiàn)精確的過流保護(hù)和其他動態(tài)控制功能。
型號:BTS5234G
封裝:PowerSTAK
VDS(漏源電壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):1.6mΩ(典型值,條件為VGS=10V,ID=100A)
ID(連續(xù)漏極電流):150A(脈沖條件下更高)
VGS(th)(柵極開啟電壓):2.5V~4.5V
工作溫度范圍:-40°C至170°C
熱阻(結(jié)到殼):0.22°C/W
輸入電容:25nF(典型值)
總功耗:根據(jù)具體散熱條件而定
BTS5234G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 內(nèi)置高精度電流檢測功能,便于實(shí)現(xiàn)動態(tài)負(fù)載管理及過流保護(hù)。
3. 小型化PowerSTAK封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間且具備良好的散熱性能。
4. 高電流處理能力,支持高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流(在脈沖條件下可更高)。
5. 寬泛的工作溫度范圍(-40°C至170°C),適合多種工業(yè)和汽車應(yīng)用場景。
6. 集成驅(qū)動器IC,簡化了外圍電路設(shè)計(jì)并增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系統(tǒng)中。
這些特性使BTS5234G成為高性能電源管理應(yīng)用的理想選擇,尤其適用于對效率和空間要求較高的場合。
BTS5234G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 服務(wù)器和通信設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)和多相電壓調(diào)節(jié)器。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理單元。
4. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)、制動系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)(BMS)。
5. 高效電機(jī)驅(qū)動器和其他需要大電流處理能力的應(yīng)用。
BTS5234G憑借其高效的能量轉(zhuǎn)換能力和緊湊的設(shè)計(jì),在上述應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠滿足嚴(yán)格的設(shè)計(jì)需求。
BTS5234E, BTS5234L