BTS660P是一款由英飛凌(Infineon)推出的高性能N溝道功率MOSFET,采用TO-263-3L封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(lǐng)�,具備高效率和低�(dǎo)通損耗的特點(diǎn)。其額定電壓�60V,能夠承受較高的電流�(fù)�,適用于需要高效能和穩(wěn)定性的電路�(shè)�(jì)�
BTS660P�(nèi)部集成了一�(gè)�(xù)流二極管,可有效減少�(kāi)�(guān)�(guò)程中的反向恢�(fù)損�,同�(shí)提供更優(yōu)的熱性能表現(xiàn)。此�,其超低的導(dǎo)通電阻有助于降低功耗并提升整體系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�52A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�129nC
總電容:78pF
工作溫度范圍�-40℃至175�
BTS660P的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,僅�4.5mΩ,有助于顯著降低�(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 集成�(xù)流二極管,降低了反向恢復(fù)�(shí)間,提高了高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中的性能�
3. 超高的電流承載能�,最大支�52A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需��
4. 采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有良好的散熱性能,適合在高溫�(huán)境下使用�
5. 廣泛的工作溫度范圍(-40℃至175℃),保證了器件在各種環(huán)境下的可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化的設(shè)�(jì)��
BTS660P適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主功率開(kāi)�(guān)元件�
2. 工業(yè)電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)組件�
3. 汽車電子中的�(fù)載切換及保護(hù)模塊�
4. 大功率LED照明系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路�
5. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的高效功率�(zhuǎn)換模��
由于其卓越的電氣特性和�(wěn)定�,BTS660P成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�
BTS660G, IRF660P