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IRGS4B60KD1PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/6 16:41:22 查看 閱讀：312

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：IGBT - 單路

    系列：-

    

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：IGBT - 單路

    系列：-

    IGBT 類型：NPT

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：600V

    Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）：2.5V @ 15V, 4A

    電流 - 集電極 (Ic)（最大）：11A

    功率 - 最大：63W

    輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)型

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：D?Pak，TO-263（2 引線 + 接片）

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

    其它名稱：*IRGS4B60KD1PBF


資料

廠商
Infineon Technologies

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
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irgs4b60kd1pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）2.5V @ 15V，4A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）11A
  • 功率 - 最大63W
  • 輸入類型標(biāo)準(zhǔn)型
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRGS4B60KD1PBF