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時(shí)間：2025/5/14 18:08:18
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BTT6010-1ERB 是一種 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝形式。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻特性使其在高效率和低損耗方面表現(xiàn)出色。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：10A
導(dǎo)通電阻：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V時(shí)）
總功耗：28W
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
BTT6010-1ERB 具有非常低的導(dǎo)通電阻，這使得它在高電流應(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提高效率。
該器件還具有快速開關(guān)速度和低柵極電荷，有助于減少開關(guān)損耗。
此外，其堅(jiān)固的封裝設(shè)計(jì)和寬廣的工作溫度范圍使 BTT6010-1ERB 適用于各種惡劣環(huán)境下的工業(yè)及汽車應(yīng)用。
BTT6010-1ERB 可用于多種應(yīng)用場合，包括但不限于開關(guān)模式電源（SMPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電池保護(hù)電路以及負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。由于其出色的性能，該器件非常適合需要高效能與高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
BSC10M60C-E, IRF540N
