BTT6010-1ERB 是一種 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 TO-252 封裝形式。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻特性使其在高效率和低損耗方面表現(xiàn)出色。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
總功耗:28W
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
BTT6010-1ERB 具有非常低的導(dǎo)通電阻,這使得它在高電流應(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提高效率。
該器件還具有快速開關(guān)速度和低柵極電荷,有助于減少開關(guān)損耗。
此外,其堅(jiān)固的封裝設(shè)計(jì)和寬廣的工作溫度范圍使 BTT6010-1ERB 適用于各種惡劣環(huán)境下的工業(yè)及汽車應(yīng)用。
BTT6010-1ERB 可用于多種應(yīng)用場合,包括但不限于開關(guān)模式電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電池保護(hù)電路以及負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。由于其出色的性能,該器件非常適合需要高效能與高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
BSC10M60C-E, IRF540N