BTT6010-1ERB 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-252 封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻特性使其在高效率和低損耗方面表�(xiàn)出色�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
總功耗:28W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
BTT6010-1ERB 具有非常低的�(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提高效率�
該器件還具有快速開�(guān)速度和低柵極電荷,有助于減少開關(guān)損耗�
此外,其�(jiān)固的封裝�(shè)�(jì)和寬廣的工作溫度范圍� BTT6010-1ERB 適用于各種惡劣環(huán)境下的工�(yè)及汽車應(yīng)��
BTT6010-1ERB 可用于多種應(yīng)用場�,包括但不限于開�(guān)模式電源(SMPS�、直�-直流�(zhuǎn)換器、電�(jī)控制、電池保�(hù)電路以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。由于其出色的性能,該器件非常適合需要高效能與高可靠性的系統(tǒng)�(shè)�(jì)�
BSC10M60C-E, IRF540N