BU-61864G3-140 是一款由 ROHM(羅姆)公司生產(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET,采� TO-252 封裝形式。該器件廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉換�、負載開關等需要高效能和低導通電阻的場景��
BU-61864G3-140 的設計特點是具有較低的導通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),從而優(yōu)化了開關性能并降低了功��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.8A
導通電阻:40mΩ
柵極電荷�9nC
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55� � +150�
BU-61864G3-140 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠有效減少功率損��
2. 高效的開關性能,得益于其較低的柵極電荷 (Qg) 和快速的開關速度�
3. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高負載條件下依然能夠保持穩(wěn)定運��
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品的嚴格要求�
5. 適合緊湊型設計,采用 TO-252 封裝,便于表面貼裝技� (SMT) 加工�
BU-61864G3-140 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源適配器和充電器中的同步整流電��
2. DC-DC 轉換器,包括降壓或升壓拓撲結��
3. 各類消費電子�(chǎn)品中的負載開關功��
4. 電機驅動控制電路�
5. 工業(yè)設備及汽車電子中的低壓功率管理模��
BU-61864GWZ-140, BU-61864G3-E3