BU4819G-TR 是一款由 ROHM(羅姆)公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型封裝,適合在空間受限的應(yīng)用中使用。它具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特點,廣泛�(yīng)用于各種電源管理和信號切換場��
BU4819G-TR 的主要特點是其出色的效率和可靠�,使其成為便攜式�(shè)備、消費類電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.6A
導通電阻:55mΩ
柵極電荷�7nC
功耗:1.3W
工作溫度范圍�-40� � +125�
BU4819G-TR 具有以下顯著特點�
1. 低導通電� (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 小型化封裝設(shè)�,節(jié)� PCB 空間�
4. 高耐熱能力,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
這些特性使 BU4819G-TR 在眾� MOSFET 器件中脫穎而出,特別適合需要高效能和緊湊設(shè)計的場合�
BU4819G-TR 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 消費類電子產(chǎn)品如智能手機、平板電腦等的負載開�(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護電路�
5. 工業(yè)�(shè)備中的信號切換與�(qū)��
由于其高效的特性和緊湊的尺�,BU4819G-TR 成為�(xiàn)代電子設(shè)計中的熱門選擇�
BU4819GW-E3