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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BU52272NUZ-ZTR

BU52272NUZ-ZTR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 11:52:58 查看 閱讀�27

BU52272NUZ-ZTR是由ROHM公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET晶體�。該器件采用小型表面貼裝封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理�(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等�
  BU52272NUZ-ZTR通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)和先�(jìn)的制造工�,在確保高效性能的同�(shí)還保持了良好的熱�(wěn)定�,使其非常適合在緊湊型電子設(shè)備中使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�6.9A
  �(dǎo)通電阻:18mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�4.7nC(典型值)
  總功耗:1.2W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +150�

特�

BU52272NUZ-ZTR具有非常低的�(dǎo)通電�,可以顯著降低功率損耗,提高效率。此�,它還具備快速開(kāi)�(guān)特�,能夠有效減少開(kāi)�(guān)損耗�
  這款器件的柵極閾值電壓經(jīng)�(guò)精心�(shè)�(jì),可與標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平兼容,簡(jiǎn)化了�(qū)�(dòng)電路的設(shè)�(jì)�
  由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),BU52272NUZ-ZTR能夠提供出色的散熱性能,并且其占位面積�,非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
  此外,BU52272NUZ-ZTR具備�(qiáng)大的抗浪涌能力和ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和耐用��

�(yīng)�

BU52272NUZ-ZTR廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工�(yè)�(shè)備以及通信系統(tǒng)�。常�(jiàn)的應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或續(xù)流二極管替代
  3. 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)及保�(hù)電路
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和音頻放大器中的�(kāi)�(guān)元件
  5. 電池管理系統(tǒng)中的功率路徑控制

替代型號(hào)

BU52271GWZ-E3V, IRF530NPbF, FDP5570NZ

bu52272nuz-ztr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)