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BUK100-50GL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 14:28:41 查看 閱讀�20

BUK100-50GL 是一� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,由安森美(ON Semiconductor)公司生�(chǎn)。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電路中�
  該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理模塊以及逆變器等�(chǎng)�。其封裝形式� TO-220FP,能夠提供出色的散熱性能�

參數(shù)

型號(hào):BUK100-50GL
  �(lèi)型:N 溝道功率 MOSFET
  VDS(漏源極電壓):50V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�80mΩ(典型�,@ VGS=10V�
  ID(連續(xù)漏極電流):100A
  fBSOD(內(nèi)置快速恢�(fù)二極管反向恢�(fù)�(shí)間)�60ns
  功耗:34W
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-220FP

特�

BUK100-50GL 的主要特�(diǎn)是其具備非常低的�(dǎo)通電� RDS(on),這使得它在高電流�(yīng)用中的傳�(dǎo)損耗顯著降�,從而提高了效率�
  此外,該器件還集成了一�(gè)快速恢�(fù)體二極管(FRD�,該二極管在同步整流和續(xù)流二極管�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,具有較低的反向恢復(fù)電荷 Qrr 和較短的反向恢復(fù)�(shí)� trr�
  該器件采用溝槽技�(shù)制造,使其擁有更小的芯片尺�,并且保持了較高的擊穿電壓(50V)。同�(shí),其封裝形式 TO-220FP 提供了良好的散熱能力,適合于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

BUK100-50GL 可以用于多種功率電子�(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器
  - 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  - 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模�
  - 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路
  - 高效 LED �(qū)�(dòng)器中的開(kāi)�(guān)元件
  由于其低�(dǎo)通電阻和快速恢�(fù)二極管特性,該器件非常適合用于高頻開(kāi)�(guān)�(huán)境下的功率控制和能量�(zhuǎn)��

替代型號(hào)

BUK9N2L-50E, IRFZ44N, STP100NF50

buk100-50gl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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buk100-50gl參數(shù)

  • 制造商NXP
  • �(chǎn)品種�(lèi)MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓50 V
  • 漏極連續(xù)電流13.5 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.125 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-220AB
  • 封裝Rail
  • 下降�(shí)�4.5 ns, 0.5 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散40 W
  • 上升�(shí)�8 ns, 1 ns
  • 工廠包裝�(shù)�50
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�6 ns, 10 ns
  • 零件�(hào)別名BUK100-50GL,127