GA1206Y682JXJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效能表現(xiàn)�
該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,能夠承受較高的漏源電壓,并且具有良好的抗靜電能力,確保在各種復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
�(lèi)型:N溝道MOSFET
漏源極電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
總功�(Ptot)�120W
工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y682JXJBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以有效減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,能夠降低開(kāi)�(guān)損��
3. �(nèi)置過(guò)溫保�(hù)功能,防止芯片因�(guò)熱而損��
4. 大電流承載能力使其適用于高功率場(chǎng)合�
5. 出色的熱性能�(shè)�(jì),能夠快速散�,延�(zhǎng)使用壽命�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,�(wú)鉛封��
該芯片廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力電子�(shè)備中,具體包括但不限于PS),如適配�、充電器��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng),用于控制直流或�(wú)刷直流電�(jī)�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的電壓�(zhuǎn)換解決方��
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 電動(dòng)�(chē)及混合動(dòng)力車(chē)的電池管理系�(tǒng)(BMS)�
6. 各種需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
IRFZ44N
FDP5800
STP36NF06L