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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y682JXJBR31G

GA1206Y682JXJBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 23:36:57 查看 閱讀�16

GA1206Y682JXJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效能表現(xiàn)�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,能夠承受較高的漏源電壓,并且具有良好的抗靜電能力,確保在各種復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道MOSFET
  漏源極電�(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�45nC
  總功�(Ptot)�120W
  工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y682JXJBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以有效減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,能夠降低開(kāi)�(guān)損��
  3. �(nèi)置過(guò)溫保�(hù)功能,防止芯片因�(guò)熱而損��
  4. 大電流承載能力使其適用于高功率場(chǎng)合�
  5. 出色的熱性能�(shè)�(jì),能夠快速散�,延�(zhǎng)使用壽命�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,�(wú)鉛封��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力電子�(shè)備中,具體包括但不限于PS),如適配�、充電器��
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng),用于控制直流或�(wú)刷直流電�(jī)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的電壓�(zhuǎn)換解決方��
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  5. 電動(dòng)�(chē)及混合動(dòng)力車(chē)的電池管理系�(tǒng)(BMS)�
  6. 各種需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  STP36NF06L

ga1206y682jxjbr31g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ga1206y682jxjbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容6800 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-