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BUK555-100B 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/6 8:40:45 查看 閱讀：9

BUK555-100B 是一款由安森美（ON Semiconductor）生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-263封裝形式，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載切換等場(chǎng)景。其出色的導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能使其成為高效率應(yīng)用的理想選擇。
　　該MOSFET的最大漏源電壓為100V，連續(xù)漏極電流可達(dá)7A，同時(shí)具有低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，有助于減少功耗并提升整體系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：7A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：85mΩ
　　柵極電荷（典型值）：19nC
　　輸入電容（典型值）：1420pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝形式：TO-263

特性

BUK555-100B 的主要特性包括：
　　1. 高電流處理能力：支持高達(dá)7A的連續(xù)漏極電流，能夠滿足多種功率應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：典型導(dǎo)通電阻僅為85mΩ，在高頻開關(guān)應(yīng)用中可顯著降低功耗。
　　3. 快速開關(guān)性能：較小的柵極電荷和輸入電容使得器件能夠在高頻條件下高效運(yùn)行。
　　4. 寬工作溫度范圍：支持從-55℃到+150℃的工作結(jié)溫范圍，適應(yīng)各種環(huán)境條件下的使用。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保設(shè)計(jì)，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色要求。

應(yīng)用

BUK555-100B 可用于以下應(yīng)用領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）：
　　 - 在反激式、正激式或非隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中作為主開關(guān)元件。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：
　　 - 用于無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）控制電路中的功率級(jí)開關(guān)。
　　3. DC/DC轉(zhuǎn)換器：
　　 - 提供高效的功率轉(zhuǎn)換功能，適用于汽車電子及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。
　　4. 負(fù)載切換：
　　 - 在通信設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)快速、可靠的負(fù)載通斷控制。

替代型號(hào)

IRFZ44N, FQP50N06L, STP75NF06

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