BUK761� NXP Semiconductors 生產(chǎn)的高頻功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用邏輯電平柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),專為高效率、高頻率�(kāi)�(guān)�(yīng)用而優(yōu)�。它通常用于電源管理�(lǐng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)� LED �(qū)�(dòng)等應(yīng)用中�
這款 MOSFET 的特�(diǎn)是低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速開(kāi)�(guān)性能,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗和�(kāi)�(guān)損�。此外,其小型化的封裝使得其在空間受限的�(shè)�(jì)中具有更高的靈活��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�28A (Tc = 25°C)
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ (典型�,Vgs = 10V)
柵極電荷�24nC (典型�)
輸入電容�1240pF (典型�)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-Leadless (DPAK)
BUK7619-100B 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. **低導(dǎo)通電�**:其典型的導(dǎo)通電阻僅� 3.5mΩ (Vgs = 10V),這有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. **快速開(kāi)�(guān)性能**:得益于較低的柵極電� (24nC 典型�),BUK7619-100B 可以�(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān)操作,從而減少開(kāi)�(guān)損耗并支持高頻�(yīng)��
3. **高耐壓能力**:最大漏源電壓為 100V,使其適用于多種電壓范圍的應(yīng)用場(chǎng)景�
4. **寬工作溫度范�**:從 -55°C � +175°C 的工作結(jié)溫范�,確保了其在極端�(huán)境下的可靠性�
5. **邏輯電平�(qū)�(dòng)**:較低的柵極�(kāi)啟電� (Vgs(th) 典型值為 2V) 使其可以直接由微控制器或邏輯電路�(qū)�(dòng),無(wú)需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
6. **小型化封�**:采� TO-Leadless 封裝,不僅節(jié)省了 PCB 空間,還提高了熱傳導(dǎo)性能�
1. **電源管理**:包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、PFC(功率因�(shù)校正)電路等,適用于筆記本適配器、USB-PD 充電器以及服�(wù)器電源等�(chǎng)��
2. **電機(jī)�(qū)�(dòng)**:可用于�(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)的驅(qū)�(dòng)電路,提供高效且�(wěn)定的�(qū)�(dòng)能力�
3. **LED �(qū)�(dòng)**:適合于大功� LED 照明系統(tǒng)中的恒流�(qū)�(dòng)�(yīng)�,保證亮度一致性的同時(shí)提高能效�
4. **�(fù)載切�**:作為負(fù)載開(kāi)�(guān)使用,在電池管理系統(tǒng) (BMS) 或者汽車電子中起到保護(hù)和控制作��
5. **其他工業(yè)�(yīng)�**:如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案、太�(yáng)能逆變器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
BUK7Y2R8-100B (NXP), IRFZ44N (Infineon/IR), FDP5500 (Fairchild Semiconductor), AO3400A (Alpha & Omega Semiconductor)