BW-S10W2是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點,適用于需要高效能和高可靠性的電路設(shè)計。
該器件采用了先進的制造工藝,確保在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的功耗和較高的效率。其封裝形式通常為TO-220或TO-252,便于散熱并適合多種應(yīng)用環(huán)境。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:35nC
開關(guān)速度:40ns
工作溫度范圍:-55℃至150℃
BW-S10W2具備以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.5mΩ),有助于降低功率損耗。
2. 高效的開關(guān)性能,能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用需求。
3. 內(nèi)置過溫保護功能,提升了系統(tǒng)的安全性。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能穩(wěn)定工作。
5. 封裝形式多樣,滿足不同應(yīng)用場景的安裝要求。
6. 具備較高的抗電磁干擾能力,適合復(fù)雜電磁環(huán)境下的使用。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的主功率開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心元件。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率輸出級。
4. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電路。
6. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場景。
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP15N60E