C1T3是一種常用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動等場景的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。C1T3廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�50nC
總電容:500pF
開關(guān)時間:開啟延遲時�10ns,上升時�8ns,關(guān)斷延遲時�20ns,下降時�15ns
C1T3具備以下特點(diǎn)�
1. 高效的低�(dǎo)通電阻設(shè)�,有助于減少�(dǎo)通損��
2. 快速開�(guān)速度,可以支持高頻應(yīng)用場��
3. 較高的漏極電流能�,適�(yīng)大功率需求�
4. 具備良好的熱�(wěn)定�,在高負(fù)載情況下性能�(wěn)��
5. 封裝形式多樣,便于不同應(yīng)用場景下的安裝與散熱�(shè)��
C1T3主要適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級開關(guān)元件�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
4. LED照明�(qū)動中的功率管��
5. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
IRFZ44N
STP30NF06
FDP17N6S