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CBG201209U501T 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 11:49:33 查看 閱讀�21

CBG201209U501T 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率電子器件,屬于高效�、高頻應(yīng)用領(lǐng)域的增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體� (eGaN FET)。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻特�,適用于高頻 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及各類電源管理系�(tǒng)�
  由于其獨特的材料�(yōu)勢和�(shè)計結(jié)�(gòu),CBG201209U501T 在高溫環(huán)境下的性能表現(xiàn)�(yōu)�,并能有效降低系�(tǒng)功耗,提升整體效率�

參數(shù)

型號:CBG201209U501T
  類型:增�(qiáng)� GaN 場效�(yīng)晶體�
  工作電壓�600V
  最大漏極電流:8A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極�(qū)動電壓:5V/10V
  反向恢復(fù)電荷:無
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-252

特�

CBG201209U501T 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓能�,能夠支持高�(dá) 600V 的電壓操作�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(40mΩ�,從而減少傳�(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  4. 不含反向恢復(fù)電荷,�(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)效率�
  5. 兼容�(biāo)�(zhǔn)� MOSFET 的柵極驅(qū)動電�,簡化了電路�(shè)��
  6. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),可在極端溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
  7. 小尺寸封裝降低了 PCB 空間占用,同時提升了散熱性能�

�(yīng)�

CBG201209U501T 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高效開關(guān)電源 (SMPS),如服務(wù)器電�、通信電源��
  2. 無線充電模塊,尤其是需要高頻切換的�(yīng)��
  3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換電��
  4. 汽車電子系統(tǒng),例如車載充電器和電池管理單��
  5. 各類便攜式設(shè)備的快充適配器�
  6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動與控制電路�

替代型號

CGH20120E501T, CSD20120U501S

cbg201209u501t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價