CBG201209U501T 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率電子器件,屬于高效�、高頻應(yīng)用領(lǐng)域的增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體� (eGaN FET)。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻特�,適用于高頻 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及各類電源管理系�(tǒng)�
由于其獨特的材料�(yōu)勢和�(shè)計結(jié)�(gòu),CBG201209U501T 在高溫環(huán)境下的性能表現(xiàn)�(yōu)�,并能有效降低系�(tǒng)功耗,提升整體效率�
型號:CBG201209U501T
類型:增�(qiáng)� GaN 場效�(yīng)晶體�
工作電壓�600V
最大漏極電流:8A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極�(qū)動電壓:5V/10V
反向恢復(fù)電荷:無
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-252
CBG201209U501T 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓能�,能夠支持高�(dá) 600V 的電壓操作�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(40mΩ�,從而減少傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
4. 不含反向恢復(fù)電荷,�(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)效率�
5. 兼容�(biāo)�(zhǔn)� MOSFET 的柵極驅(qū)動電�,簡化了電路�(shè)��
6. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),可在極端溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
7. 小尺寸封裝降低了 PCB 空間占用,同時提升了散熱性能�
CBG201209U501T 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效開關(guān)電源 (SMPS),如服務(wù)器電�、通信電源��
2. 無線充電模塊,尤其是需要高頻切換的�(yīng)��
3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換電��
4. 汽車電子系統(tǒng),例如車載充電器和電池管理單��
5. 各類便攜式設(shè)備的快充適配器�
6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動與控制電路�
CGH20120E501T, CSD20120U501S