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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > CBW160808U750T

CBW160808U750T 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 15:59:15 查看 閱讀�25

CBW160808U750T 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,專為高頻和高功率密度應用場景設計。該型號采用先進的封裝技�,具有低寄生電感、高開關速度以及出色的熱性能,適合用于開關電�、DC-DC轉換�、無線充電模塊等應用領域�
  該芯片以增強型場效應晶體管(eGaN FET)為核心,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少體�。其高耐壓特性和低導通電阻使其成為傳�(tǒng)硅基MOSFET的理想替代品�

參數(shù)

最大漏源電壓:750V
  連續(xù)漏極電流�16A
  導通電阻:80mΩ
  柵極電荷�23nC
  開關頻率:超�5MHz
  封裝類型:TO-247-4L
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

CBW160808U750T 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓(750V�,適用于高壓�(huán)境下的應��
  2. 極低的導通電阻(80mΩ),有助于降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開關能力,支持高達5MHz的開關頻�,滿足高頻應用需求�
  4. 減少的柵極電荷和輸出電荷,進一步提升了開關性能�
  5. 先進的封裝設計降低了熱�,確保長時間�(wěn)定運行�
  6. 寬泛的工作溫度范�,適應極端條件下的使用場��

應用

這款芯片廣泛應用于多種高要求的電力電子設備中,例如:
  1. 開關模式電源(SMPS�,包括AC-DC適配器和服務器電��
  2. DC-DC轉換器,特別是隔離式或非隔離式拓撲結��
  3. 無線充電�(fā)射端,提供高效的能量傳輸�
  4. 電動車輛(EV)和混合動力車輛(HEV)中的車載充電器及逆變��
  5. 工業(yè)電機驅動和可再生能源逆變�,如太陽能微逆變器�
  6. LED照明驅動電源,支持更高效率和更小尺寸的設計�

替代型號

GB75016A, NVP1608G750, TPH7500E08

cbw160808u750t推薦供應� 更多>

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