CBW160808U750T 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,專為高頻和高功率密度應用場景設計。該型號采用先進的封裝技�,具有低寄生電感、高開關速度以及出色的熱性能,適合用于開關電�、DC-DC轉換�、無線充電模塊等應用領域�
該芯片以增強型場效應晶體管(eGaN FET)為核心,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少體�。其高耐壓特性和低導通電阻使其成為傳�(tǒng)硅基MOSFET的理想替代品�
最大漏源電壓:750V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻:80mΩ
柵極電荷�23nC
開關頻率:超�5MHz
封裝類型:TO-247-4L
工作溫度范圍�-55� � +175�
CBW160808U750T 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(750V�,適用于高壓�(huán)境下的應��
2. 極低的導通電阻(80mΩ),有助于降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開關能力,支持高達5MHz的開關頻�,滿足高頻應用需求�
4. 減少的柵極電荷和輸出電荷,進一步提升了開關性能�
5. 先進的封裝設計降低了熱�,確保長時間�(wěn)定運行�
6. 寬泛的工作溫度范�,適應極端條件下的使用場��
這款芯片廣泛應用于多種高要求的電力電子設備中,例如:
1. 開關模式電源(SMPS�,包括AC-DC適配器和服務器電��
2. DC-DC轉換器,特別是隔離式或非隔離式拓撲結��
3. 無線充電�(fā)射端,提供高效的能量傳輸�
4. 電動車輛(EV)和混合動力車輛(HEV)中的車載充電器及逆變��
5. 工業(yè)電機驅動和可再生能源逆變�,如太陽能微逆變器�
6. LED照明驅動電源,支持更高效率和更小尺寸的設計�
GB75016A, NVP1608G750, TPH7500E08