STM32G473RET6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC內核。它們的工作頻率高達170MHz。Cortex-M4內核具有單精度浮點單�(FPU),支持所有Arm單精度數(shù)據處理指令和所有數(shù)據類型。它還實�(xiàn)了一整套DSP(�(shù)字信號處�)指令和一個增強應用程序安全性的存儲器保護單�(MPU)。STM32G473RET6嵌入了高速存儲器(512 KB的閃存和128 KB的SRAM)、用于靜�(tài)存儲器的靈活外部存儲器控制器(FSMC)(適用�100引腳及以上封裝的設備)、Quad SPI閃存接口以及連接到兩條APB總線、兩條AHB總線�32位多AHB總線矩陣的大量增強型I/O和外圍設備。STM32G473RET6還為嵌入式閃存和SRAM嵌入了幾種保護機制:讀出保護、寫入保�、安全存儲區(qū)域和專有代碼讀出保��
STM32G473RET6嵌入了允許數(shù)�/算術函數(shù)加速的外圍設備(CORDIC用于三角函數(shù),F(xiàn)MAC單元用于濾波函數(shù))。STM32G473RET6提供五個快�12位ADC(5 Msps)、七個比較器、六個運算放大器、七個DAC通道(3個外部和4個內�)、一個內部電壓參考緩沖器、一個低功耗RTC、兩個三個通用32位定時器、三個專用于電機控制�16位PWM定時�、七個通用16位定時器和一�16位低功耗定時器�
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU,帶FPU,自適應實時加速器(ART加速器),允�0等待狀�(tài)�(zhí)�
來自閃存,頻率高�170 MHz,具�213 DMIPS、MPU、DSP指令
操作條件�
–VDD、VDDA電壓范圍�1.71 V�3.6 V
�(shù)學硬件加速器
–CORDIC用于三角函數(shù)加�
–FMAC:過濾數(shù)學加速器
記憶
�512 KB閃存,帶ECC
支持,兩個存儲體讀��
專有代碼讀出保�
(PCROP),安全存儲區(qū)�1K字節(jié)OTP
�96 KB SRAM,具有硬件奇偶校�
在前32 KB上執(zhí)行檢�
–常�(guī)升壓器:32 KB SRAM
指令和數(shù)據總線,帶有硬件奇偶校驗(CCM SRAM)
–用于靜�(tài)的外部存儲器接口
存儲器FSMC支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存儲�
–四路SPI存儲器接�
重置和供應管�
–通電/斷電復位(POR/PDR/BOR)
–可編程電壓檢測�(PVD)
–低功耗模式:睡眠、停歀待機和關機
–RTC和備份寄存器的VBAT電源
時鐘管理
�4�48 MHz晶體振蕩�
�32 kHz振蕩�,帶校準
–內�16 MHz RC,帶PLL選項(±1%)
–內�32 kHz RC振蕩�(±5%)
多達107個快速I/O
–所有可映射到外部中斷向�
–幾個具�5 V耐受能力的I/O
商品分類 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半導�) |
封裝 | 64-LQFP�10x10� | 包裝 | 托盤 |
核心處理� | ARM Cortex-M4 | 內核�(guī)� | 32-� |
速度 | 170MHz | 連接能力 | CANbus,I2C,IrDA,LINbus,QSPI,SAI,SPI,UART/USART,USB |
外設 | 欠壓檢測/復位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT | I/O�(shù) | 52 |
程序存儲容量 | 512KB�512K x 8� | 程序存儲器類� | 閃存 |
EEPROM容量 | - | RAM大小 | 128K x 8 |
電壓-供電(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V | �(shù)據轉換器 | A/D 26x12b; D/A 4x12b |
振蕩器類� | 內部 | 工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA� |
安裝類型 | 表面貼裝� | 基本產品編號 | STM32 |
HTSUS | 8542.31.0001 | 產品應用 | 高性能MCU |
濕氣敏感性等�(MSL) | 3�168 小時� | ECCN | 3A991A2 |
RoHS狀�(tài) | 符合 ROHS3 �(guī)� | REACH狀�(tài) | � REACH 產品 |
STM32G473RET6原理�
STM32G473RET6引腳�
STM32G473RET6封裝
STM32G473RET6絲印
STM32G473RET6料號解釋