CDR01BP270BJWSAT 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有出色的開關(guān)特性和耐熱性能,適合用于各種電源管�、電機驅(qū)動以� DC-DC �(zhuǎn)換等場景。其封裝形式通常� SOT-23 封裝,具備小型化和高可靠性的特點�
該芯片廣泛應(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)域,能夠滿足對功率密度和能效有較高要求的�(yīng)用需��
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�27A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
總柵極電�(Qg)�48nC
輸入電容(Ciss)�3690pF
輸出電容(Coss)�560pF
反向傳輸電容(Crss)�185pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
CDR01BP270BJWSAT 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可以有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,支持高�(dá) 27A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)��
3. 快速開�(guān)速度,得益于較小的總柵極電荷 (Qg),可顯著減少開關(guān)損耗�
4. 工作溫度范圍寬廣 (-55� � +175�),能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運��
5. 先�(jìn)的封裝技�(shù)確保了更高的散熱性能和可靠性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求�
這些特性使� CDR01BP270BJWSAT 成為高效率電源轉(zhuǎn)換和功率管理的理想選��
CDR01BP270BJWSAT 可以�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的功率開關(guān)元件�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)�
4. 電池保護(hù)和負(fù)載切換電��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換方案�
由于其高效率和低損耗的特點,該器件非常適合用于對能耗敏感的�(yīng)用環(huán)境�
CDR01BP270KJWSAT, IRFZ44N, FDP270AN