CDR31BP2R0BCZSAT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,專為高�、高效能應用�(shè)�。該器件采用先進的封裝技�(shù),具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于電源管理、工�(yè)�(shè)備及通信系統(tǒng)等領(lǐng)��
這款 GaN 晶體管通過�(yōu)化的芯片�(shè)計實�(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn),在高頻工作條件下能夠提供更高的效率和更低的損�,同時其緊湊的封裝形式使其非常適合對空間要求較高的應用場��
型號:CDR31BP2R0BCZSAT
類型:增強型場效應晶體管(eGaN FET�
材料:氮化鎵(GaN�
導通電阻(Rds(on)):2.0 mΩ(典型�,Vgs=6V�
擊穿電壓(BVDSS):600 V
最大漏極電流(Id):45 A
柵極電荷(Qg):75 nC
開關(guān)頻率:支持高達數(shù)MHz的應�
封裝形式:TO-263-7L
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
CDR31BP2R0BCZSAT 的主要特性包括以下幾點:
1. 高效性:得益于氮化鎵材料的優(yōu)異性能,該晶體管在高頻下表�(xiàn)出非常高的效�,顯著降低開�(guān)和傳導損��
2. 快速開�(guān)能力:具有超低的柵極電荷和輸出電�,能�?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)切換,適合高頻應用環(huán)��
3. 緊湊�(shè)計:采用了小型化的封裝形�,從而節(jié)省了PCB空間,非常適合需要高密度集成的設(shè)��
4. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的測試與驗證,確保在各種嚴苛的工作條件下保持穩(wěn)定運��
5. 寬泛的工作范圍:支持較寬的電壓和電流范圍,滿足多種應用場景的需��
CDR31BP2R0BCZSAT 廣泛應用于多個領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 電源�(zhuǎn)換器:用� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�,提升效率并減小體積�
2. 工業(yè)�(qū)動器:適用于電機控制和其他工�(yè)自動化設(shè)備中的功率驅(qū)動部��
3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:在基站功率放大器和其他通信�(shè)備中提供高效的功率處理能��
4. 新能源系�(tǒng):例如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率模��
5. 汽車電子:可應用于車載充電器、DC/DC�(zhuǎn)換器等汽車相�(guān)電子�(chǎn)品中�
CDR31BP3R0BCZSAT, CDR31BP4R0BCZSAT