CDR31BX153AMZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,專為高效率、高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件適用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。它具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)特性和良好的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率和�(wěn)定性�
這款MOSFET采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),允許較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓,從而簡(jiǎn)化了與現(xiàn)代控制器的接口設(shè)�(jì)。其封裝形式�(jīng)�(guò)�(yōu)�,可有效降低寄生電感和熱阻,增強(qiáng)散熱能力�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�47A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷Qg�59nC(典型值)
總功耗Ptot�258W
工作溫度范圍Tj�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3
CDR31BX153AMZMAT具備卓越的電氣性能和熱性能,主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),在高電流應(yīng)用中減少功率損��
2. 快速開(kāi)�(guān)特性,適合高頻�(kāi)�(guān)電路�(shè)�(jì)�
3. 邏輯電平�(qū)�(dòng)兼容性,便于與微控制器或?qū)S抿?qū)�(dòng)IC配合使用�
4. 高雪崩耐量能力,確保在異常條件下具有更高的可靠��
5. 緊湊且高效的封裝�(shè)�(jì),支持大功率散熱需��
6. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
CDR31BX153AMZMAT廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
6. 高效電源管理解決方案,例如服�(wù)�、通信基站和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源部��
IRF3205
FDP5500
STP120NF06L