時間：2025/5/22 20:06:14
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CDR31BX182BKZSAT 是一款高性能的 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），主要應(yīng)用于高功率密度和高效能轉(zhuǎn)換場景。該型號屬于 CDR 系列，專為工業(yè)、汽車及消費電子領(lǐng)域的開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計。其采用先進(jìn)的制造工藝，在低導(dǎo)通電阻和高頻率切換性能之間達(dá)到了良好平衡。
此外，該器件具備出色的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力，能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下保持可靠運行。
類型：MOSFET
極性：N-Channel
漏源電壓(Vds)：60V
連續(xù)漏極電流(Id)：40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.5mΩ
柵極電荷(Qg)：75nC
功耗(PD)：200W
工作溫度范圍(Ta)：-55℃ to +175℃
封裝形式：TO-247-3
CDR31BX182BKZSAT 的主要特點是其超低導(dǎo)通電阻（僅 2.5mΩ），這使得其在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。同時，該器件具有較高的漏源電壓（60V）和強(qiáng)大的連續(xù)漏極電流承載能力（40A）。
其快速開關(guān)性能得益于較低的柵極電荷（75nC），可有效減少開關(guān)損耗。此外，器件支持寬廣的工作溫度范圍（-55℃ 到 +175℃），適用于極端環(huán)境下的操作。它還通過了多項可靠性測試，包括高溫存儲、濕度偏壓和機(jī)械沖擊測試，確保長期使用的穩(wěn)定性。
另外，其 TO-247-3 封裝提供了良好的散熱性能，適合需要高效熱管理的設(shè)計。
CDR31BX182BKZSAT 廣泛用于各種電力電子設(shè)備，例如：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. 電動車輛（EV/HEV）中的電機(jī)驅(qū)動控制電路。
3. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級開關(guān)。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)與保護(hù)電路。
5. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
由于其卓越的電氣性能和可靠性，該器件成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇。
CDR31BX180BKZSAT, CDR31BX185BKZSAT, IRF3205, FDP16N60
