CG82NM10SLGXX 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的功率晶體�,專為高效率、高頻開關應用設�。該器件采用先進的封裝技�,具有低導通電阻和快速開關特�,適用于電源管理、充電器、適配器以及其他需要高效能表現(xiàn)的應用場景�
該型號屬于氮化鎵晶體管系�,其核心�(yōu)勢在于提升功率轉換效率的同時,顯著減少熱損耗和系統(tǒng)體積�
類型:增強型場效應晶體管 (eGaN FET)
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
導通電�(Rds(on))�10mΩ
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
結溫范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
CG82NM10SLGXX 具有卓越的電氣性能,包括但不限于以下特點:
1. 高效開關能力,可實現(xiàn)高達1MHz以上的開關頻率�
2. 極低的導通電�,有助于降低功��
3. 減少寄生電感影響,優(yōu)化高頻下的穩(wěn)定��
4. 內置靜電防護(ESD)保護功能,增強器件可靠��
5. 耐高溫性能出色,支持工�(yè)級溫度范圍操��
6. 封裝牢固可靠,適合多種安裝方��
這款氮化鎵功率晶體管廣泛應用于各種高要求的電子設備中,主要應用場景包括:
1. 開關電源(SMPS)及AC-DC轉換器�
2. USB-PD快充模塊�
3. 無線充電�(fā)射端�
4. 電機驅動控制器�
5. 新能源汽車車載充電機(OBC)�
6. �(shù)�(jù)中心服務器供電單��
其高頻與高效的特點使其成為現(xiàn)代電力電子設計的理想選擇�
CG82NM10SLGXA
CG82NM10SLGXN
CG82NM10SLGXP