SI7716ADN-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù),具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點,非常適合用于高頻開關(guān)應用。它廣泛應用于電源管理、電機控制、負載開關(guān)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。
該型號采用了表面貼裝封裝 (TO-252/DSOP),能夠有效提高散熱性能并簡化 PCB 設計。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:19A
導通電阻(典型值):4.5mΩ
柵極電荷(典型值):21nC
輸入電容(典型值):1860pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝類型:TO-252 (DSOP)
SI7716ADN-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),可顯著降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高開關(guān)速度,支持高頻操作,適合現(xiàn)代高效能轉(zhuǎn)換器設計。
3. 較小的封裝尺寸有助于節(jié)省 PCB 空間,并兼容自動貼片工藝。
4. 高溫穩(wěn)定性,能夠在極端環(huán)境下保持可靠運行。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求。
6. 內(nèi)置反向二極管,提供高效的體二極管功能以處理續(xù)流電流。
該芯片適用于多種應用場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流器。
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流負載開關(guān)。
3. 工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)動電路。
4. 通信基礎設施中的電源分配網(wǎng)絡。
5. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電適配器。
6. 固態(tài)繼電器和其他需要高性能功率切換的應用。
SI7716DP, IRF7832, AO3400