CGA3E2C0G1H060D080AD 是一款高性能� GaN(氮化鎵)功率晶體管,基于增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體管技�(shù)�(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的封裝工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)頻率的特�(diǎn),適用于高頻高效電源�(zhuǎn)換場�,如開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及無線充電�(shè)備等。其出色的性能參數(shù)使其成為新一代高效能功率電子�(yīng)用的理想選擇�
這款芯片利用� GaN 材料的獨(dú)特優(yōu)�,如高電子遷移率和高擊穿電場�(qiáng)�,從而顯著提升了功率密度和系�(tǒng)效率。同�(shí),它還支持極低的寄生電感和快速的開關(guān)特�,有助于減少能量損耗并�(yōu)化整體設(shè)�(jì)�
型號(hào):CGA3E2C0G1H060D080AD
類型:GaN 功率晶體�
最大漏源電壓:600 V
最大連續(xù)漏極電流�80 A
�(dǎo)通電阻:4.5 mΩ(典型值)
柵極電荷�125 nC(典型值)
反向恢復(fù)電荷:無(零反向恢復(fù)�
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-4L
CGA3E2C0G1H060D080AD 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:最大漏源電壓高�(dá) 600V,能夠承受高壓工作環(huán)境,適合工業(yè)級和汽車級應(yīng)��
2. 極低�(dǎo)通電阻:典型值僅� 4.5mΩ,有效降低了�(dǎo)通損�,提升了整體效率�
3. 快速開�(guān)性能:得益于 GaN 技�(shù),開�(guān)速度�(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET,減少了開關(guān)損��
4. 零反向恢�(fù)電荷:消除了傳統(tǒng)二極管中常見的反向恢�(fù)問題,�(jìn)一步提升了系統(tǒng)效率�
5. 寬溫度范圍:能夠� -55°C � +175°C 的極端溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)多種惡劣�(huán)��
6. 小尺寸封裝:采用 TO-247-4L 封裝,便于散熱且易于集成到現(xiàn)有電路板�(shè)�(jì)中�
7. �(huán)保材料:符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),不含有害物�(zhì),對�(huán)境友��
CGA3E2C0G1H060D080AD 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):在高效� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中發(fā)揮重要作��
2. 電動(dòng)車充電系�(tǒng):支持快速充電站中的高頻高效功率�(zhuǎn)��
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):用于高性能變頻�(qū)�(dòng)器和伺服控制器�
4. 太陽能逆變器:提高光伏系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效��
5. 無線充電�(shè)備:�(shí)�(xiàn)更高效的非接觸式能量傳輸�
6. �(shù)�(jù)中心電源:為服務(wù)器和�(wǎng)�(luò)�(shè)備提供可靠且高效的供電方��
CGA3E2C0G1H060D080AE, CGA3E2C0G1H060D080AF