CGA3E2NP01H4R7C080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
該型號(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的場(chǎng)景。其封裝形式通常為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的小型表面貼裝類(lèi)型,適合高密度電路板設(shè)計(jì)。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:35A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:90nC
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá) 1MHz
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
CGA3E2NP01H4R7C080AA 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.5mΩ),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體效率。
2. 高開(kāi)關(guān)頻率支持(高達(dá) 1MHz),使其非常適合高頻應(yīng)用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 出色的熱性能表現(xiàn),允許在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,最高可達(dá) 175℃。
4. 快速開(kāi)關(guān)能力,具備低柵極電荷和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)損耗。HS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
6. 小型化封裝設(shè)計(jì),節(jié)省 PCB 空間。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)元件。
2. 各類(lèi) DC-DC 轉(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓和反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
4. 新能源汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及車(chē)載充電器。
5. 太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 高效負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器以及其他需要高性能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)景。
CGA3E2NP01H4R7C080AB, CGA3E2NP01H4R7C080AC