CGH40010F 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管,適用于高電壓和大電流的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,適合用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及其他功率轉(zhuǎn)換電路。
其封裝形式通常為 TO-220 或類似的標(biāo)準(zhǔn)功率封裝,便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:4A
導(dǎo)通電阻:0.15Ω
柵極電荷:20nC
開關(guān)時(shí)間:開通延遲時(shí)間 35ns,關(guān)斷傳播時(shí)間 15ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
CGH40010F 的主要特性包括:
1. 高效率:得益于較低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可以顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)整體效率。
2. 快速開關(guān)性能:較小的柵極電荷和短開關(guān)時(shí)間使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的電氣性能。
4. 高可靠性:經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測(cè)試流程,確保在各種嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 封裝兼容性好:采用標(biāo)準(zhǔn)功率封裝,方便與其他電路集成并實(shí)現(xiàn)高效的散熱設(shè)計(jì)。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開關(guān)元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓/升壓拓?fù)渲械墓β书_關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
4. 各種負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 可再生能源設(shè)備,如太陽能微逆變器和電池管理系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
CGH40008F, IRFZ44N, FQP50N06L