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CHDTA114EEGP 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 23:35:37 查看 閱讀�20

CHDTA114EEGP是一款高性能的MOSFET功率晶體管,采用TO-263封裝形式。該器件主要適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)域。其特點在于低導(dǎo)通電阻和高電流承載能�,能夠顯著提升電路效率并減少�(fā)熱問題�
  該芯片通過�(yōu)化設(shè)計實�(xiàn)了更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損�,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大漏極電流:45A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  總功耗:150W
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的可靠��
  4. 具備良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運行�
  5. TO-263封裝形式,易于安裝且散熱性能�(yōu)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機�(qū)動電路中的驅(qū)動元��
  4. 各類工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  5. 照明系統(tǒng)中的LED�(qū)動電��

替代型號

IRFZ44N
  FDP5800
  AOT291G

chdta114eegp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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