CMP60N04是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,由Cree公司(現(xiàn)為Wolfspeed)生�(chǎn)。該器件采用碳化�(SiC)技�(shù)制�,具有高效率、高溫性能和快速開�(guān)速度等優(yōu)�(shì)。由于其卓越的電氣特性和熱性能,CMP60N04廣泛�(yīng)用于工業(yè)和汽車領(lǐng)�,例如電源轉(zhuǎn)換器、逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)器等�(yīng)用中�
這款器件�(shè)�(jì)用于在高頻工作條件下�(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,同�(shí)提供更高的系�(tǒng)可靠性。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,基于SiC材料的MOSFET能夠承受更高的電�,并在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定性能�
型號(hào):CMP60N04
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
材料:碳化硅(SiC)
漏源極耐壓(Vds)�650V
連續(xù)漏極電流(Id)�8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ(典型值,�25°C�)
柵極電荷(Qg)�75nC(最大�)
輸入電容(Ciss)�930pF(典型�)
輸出電容(Coss)�160pF(典型�)
反向傳輸電容(Crss)�65pF(典型�)
工作溫度范圍�-55°C�175°C
1. 高擊穿電�(650V),適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電�(40mΩ),有助于降低�(dǎo)通損�,提升效率�
3. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷,減少開�(guān)損耗并允許高頻操作�
4. �(yōu)異的熱性能,能夠在高達(dá)175°C的結(jié)溫下可靠�(yùn)行�
5. 碳化硅材料帶來的高可靠�,抗電磁干擾能力�(qiáng)�
6. 小巧的封裝尺�,便于電路板布局和散熱設(shè)�(jì)�
這些特性使得CMP60N04成為高效電源�(zhuǎn)換和電機(jī)控制�(yīng)用的理想選擇。與傳統(tǒng)硅基器件相比,SiC MOSFET如CMP60N04能夠在更寬的溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能,并且支持更高的開關(guān)頻率,從而減小無源元件的尺寸和重��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS):包括AC/DC和DC/DC�(zhuǎn)換器�
2. 太陽能逆變器:用于光伏系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)和并�(wǎng)逆變�
3. 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽�(HEV):用于車載充電器(OBC)、電�(jī)控制器和DC/DC�(zhuǎn)換器�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):用于變頻器和伺服驅(qū)�(dòng)��
5. 不間斷電�(UPS):用于關(guān)鍵任�(wù)備份電源系統(tǒng)�
6. 充電器和適配器:用于消費(fèi)電子�(chǎn)品的快速充電解決方��
由于其出色的電氣性能和熱性能,CMP60N04在需要高效率和高可靠性的�(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�
1. C2M0080120D:由Infineon生產(chǎn)的SiC MOSFET,具有類似的電壓和電流額定值�
2. STPSC65H06T:STMicroelectronics推出的SiC MOSFET,具備較高的開關(guān)速度和低�(dǎo)通電阻�
3. FGH008N120SMD:由Fairchild Semiconductor提供的MOSFET,適用于相似的應(yīng)用場(chǎng)��
4. SCT2H12NZ:Rohm公司的另一款高性能SiC MOSFET,具有良好的熱特性和低損耗特�(diǎn)�
�(qǐng)注意,盡管這些型號(hào)可能在某些參�(shù)上接�,但在具體應(yīng)用中仍需仔細(xì)�(píng)估其電氣特性和熱管理能力以確保兼容��