TF080P04M是一款專為功率管理應(yīng)用設(shè)�(jì)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種高效的功率�(zhuǎn)換電路中。其封裝形式通常為TO-252或TO-263,具體取決于制造商的標(biāo)�(zhǔn)�
該芯片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)域,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率并降低功��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷�15nC
開關(guān)速度:超高�
工作溫度范圍�-55℃至175�
TF080P04M的核心優(yōu)�(shì)在于其卓越的電氣性能和可靠�。它具備極低的導(dǎo)通電�,從而減少了�(dǎo)通損�,并且其快速的開關(guān)特性使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
此外,這款MOSFET還具有出色的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然能夠保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)。為了確保長期使用的可靠�,該器件�(jīng)過了�(yán)格的篩選�(cè)試流程,包括抗靜電能力(ESD)保�(hù)和耐浪涌電流能力等�(guān)鍵指�(biāo)的優(yōu)��
在實(shí)際應(yīng)用中,TF080P04M可以有效減少系統(tǒng)中的熱量積累,簡化散熱設(shè)�(jì)需�,同�(shí)通過降低開關(guān)損耗來提高整體效率�
該MOSFET適用于多種場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源適配器以及LED照明等應(yīng)用領(lǐng)域�
在汽車電子方�,它可以作為電池管理系統(tǒng)的一部分,實(shí)�(xiàn)�(duì)電流的精確控�;而在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,則常用于筆記本電腦充電器或平板電視�(nèi)部的電源模塊�(dāng)��
由于其緊湊型封裝和高效能特點(diǎn),TF080P04M也特別適合于空間受限但性能要求較高的場(chǎng)��
IRFZ44N
FDP18N04L
STP80NF04