CRSQ027N10N 是一款基于碳化硅 (SiC) 技術的 MOSFET 芯片,具有低導通電阻和快速開關特�。該器件專為高頻、高效率的應用場景設�,適用于電源管理、逆變�、DC-DC 轉換器以及電動車輛等領域的高性能需��
由于其采用了先進的 SiC 材料技�,CRSQ027N10N 在高溫和高壓條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的�(wěn)定性和可靠�,同時顯著降低了能量損��
額定電壓�1000V
額定電流�27A
導通電阻:2.7mΩ
柵極電荷�85nC
反向恢復時間�60ns
工作溫度范圍�-55� � 175�
CRSQ027N10N 的主要特性包括以下幾點:
1. 高額定電壓(1000V)使其能夠在高壓�(huán)境下運行,適合工�(yè)及汽車應��
2. 極低的導通電阻(2.7mΩ)有效減少了傳導損�,從而提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開關性能得益于低柵極電荷和短反向恢復時間,能夠支持高頻操作�
4. 支持寬廣的工作溫度范圍(-55� � 175℃),確保在極端�(huán)境下的可靠運行�
5. 先進的 SiC 技術賦予了芯片更高的熱�(wěn)定性和耐久��
CRSQ027N10N 廣泛應用于需要高效功率轉換的場景�,具體包括:
1. 太陽能逆變�,用于將直流電轉換為交流電以供家庭或商業(yè)使用�
2. 電動車驅(qū)動系�(tǒng),提供高效率的動力輸出和能量回收功能�
3. �(shù)�(jù)中心和服務器電源,優(yōu)化散熱并減少功��
4. 工業(yè)電機�(qū)�,滿足高功率密度和高頻率的需求�
5. 高端消費類電子產(chǎn)品中� DC-DC 轉換�,實�(xiàn)更小尺寸和更高性能�
CRSQ030N10N
CRSQ025N10N