CRST060N10N是一種基于碳化硅(SiC)材料制造的MOSFET功率晶體�。該器件具有高耐壓、低導通電阻和快速開關特�,非常適合應用于高頻開關電源、電機驅(qū)�、太陽能逆變器等對效率和可靠性要求較高的場景�
由于其采用了先進的SiC技�,CRST060N10N相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET在高溫性能和開關損耗方面表�(xiàn)更加�(yōu)異,從而進一步提升系�(tǒng)的整體效��
0V
連續(xù)漏極電流�60A
導通電阻:5mΩ
柵極電荷�90nC
開關頻率:高�500kHz
工作溫度范圍�-55℃至175�
CRST060N10N的核心優(yōu)勢在于其采用了碳化硅材料,這種材料具備更寬的禁帶寬度和更高的熱導率,使其能夠承受更高的工作溫度和電壓,并且在高頻工作條件下仍能保持較低的開關損��
此外,該器件還具備以下特點:
1. 極低的導通電�,在大電流應用中可顯著降低功率損��
2. 快速的開關速度,適合高頻應用場��
3. 高可靠性和�(wěn)定性,能夠在惡劣環(huán)境下長期運行�
4. 緊湊的封裝設�,便于集成到復雜電路系統(tǒng)��
CRST060N10N廣泛適用于多種電力電子領域,包括但不限于以下場景�
1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
2. 太陽能光伏逆變�
3. 電動汽車中的牽引逆變�
4. 工業(yè)級電機驅(qū)動器
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
6. 充電樁功率模�
這些應用充分利用了CRST060N10N的高效能量轉(zhuǎn)換能力和高可靠�,為�(xiàn)代能源系�(tǒng)提供了有力支��
CRST080N10N
CRST040N12N