CRST065N08N是一款基于碳化硅(SiC)技術的MOSFET功率晶體�,廣泛應用于高頻開關電源、電機驅動和逆變器等場景。該器件具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,適合需要高效能和高溫操作的應用�(huán)��
該器件采用了先進的溝槽結構設計,從而在保持較低導通損耗的同時實現快速開關性能。它還具備較高的雪崩耐量,能夠在極端條件下提供更高的可靠��
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流�65A
導通電阻:15mΩ
柵極電荷�90nC
開關速度:超高�
工作結溫范圍�-55� � 175�
封裝類型:TO-247-3
1. 極低的導通電�,能夠顯著降低功率損耗�
2. 高額定電壓(800V�,適用于高壓系統(tǒng)�
3. 超快的開關速度,支持高頻工作場景�
4. 出色的熱�(wěn)定�,允許在高達175℃的工作溫度下運行�
5. 內置反向二極管功�,簡化電路設��
6. 較高的雪崩擊穿能�,增強器件的耐用性和可靠性�
1. 太陽能逆變器和風能轉換系統(tǒng)�
2. 電動車充電站和車載充電器�
3. 工業(yè)電機驅動和伺服控制器�
4. 不間斷電源(UPS)和高頻DC-DC轉換��
5. 高壓電源模塊和PFC(功率因數校正)電路�
6. 激光切割設備和焊接機等工業(yè)設備中的電源管理部分�
CRST065N06L, CRST080N08N, CRST050N08N