時間：2025/5/13 12:50:03
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CRST065N08N是一款基于碳化硅（SiC）技術的MOSFET功率晶體管，廣泛應用于高頻開關電源、電機驅動和逆變器等場景。該器件具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能，適合需要高效能和高溫操作的應用環(huán)境。
該器件采用了先進的溝槽結構設計，從而在保持較低導通損耗的同時實現快速開關性能。它還具備較高的雪崩耐量，能夠在極端條件下提供更高的可靠性。
最大漏源電壓：800V
連續(xù)漏極電流：65A
導通電阻：15mΩ
柵極電荷：90nC
開關速度：超高速
工作結溫范圍：-55℃ 至 175℃
封裝類型：TO-247-3
1. 極低的導通電阻，能夠顯著降低功率損耗。
2. 高額定電壓（800V），適用于高壓系統(tǒng)。
3. 超快的開關速度，支持高頻工作場景。
4. 出色的熱穩(wěn)定性，允許在高達175℃的工作溫度下運行。
5. 內置反向二極管功能，簡化電路設計。
6. 較高的雪崩擊穿能力，增強器件的耐用性和可靠性。
1. 太陽能逆變器和風能轉換系統(tǒng)。
2. 電動車充電站和車載充電器。
3. 工業(yè)電機驅動和伺服控制器。
4. 不間斷電源（UPS）和高頻DC-DC轉換器。
5. 高壓電源模塊和PFC（功率因數校正）電路。
6. 激光切割設備和焊接機等工業(yè)設備中的電源管理部分。
CRST065N06L, CRST080N08N, CRST050N08N
