CS2N60B3D是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠有效提升系�(tǒng)的效率并降低能耗�
CS2N60B3D屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其耐壓值為600V,適用于高壓�(huán)境下的各種電子電路設(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏電流:3.5A
柵極閾值電壓:4V
�(dǎo)通電阻:3.7Ω
總電荷:85nC
輸入電容�1190pF
反向恢復(fù)�(shí)間:90ns
CS2N60B3D具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力�600V的額定漏源電壓使其能夠在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為3.7Ω,在大電流條件下可顯著減少功率損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備短反向恢復(fù)�(shí)間和低輸入電�,適合高頻應(yīng)��
4. �(wěn)定性好:在高溫或低溫環(huán)境下均能保持�(yōu)異的工作特��
5. 小封裝設(shè)�(jì):有助于縮小整體電路尺寸,便于緊湊型�(shè)�(jì)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):綠色環(huán)�,無(wú)鉛焊接工��
CS2N60B3D廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源:用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換電路中,提供高效能量轉(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):作為功率級(jí)�(kāi)�(guān)元件,控制電�(jī)的啟�(dòng)、停止及�(diào)��
3. 逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)化為交流電的�(yīng)用場(chǎng)景�
4. PFC(功率因�(shù)校正)電路:提高電力系統(tǒng)的效率和�(wěn)定��
5. 充電器:包括手機(jī)充電器、筆記本電腦適配器等便攜式設(shè)備的電源管理部分�
CS2N60B3D-H, IRF840, STP3NC60K5