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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GJM0333C2A3R9CB01J

GJM0333C2A3R9CB01J 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 23:23:05 查看 閱讀�14

GJM0333C2A3R9CB01J 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,適用于高頻和高功率�(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,能夠顯著提高功率密度并降低開關(guān)損�,廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、通信基站及工�(yè)電源等領(lǐng)��
  其核心設(shè)�(jì)�(jié)合了低導(dǎo)通電阻與快速開�(guān)速度的特�(diǎn),使得它在高頻率下的性能表現(xiàn)尤為突出。此�,該型號(hào)還具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠�,適合在�(yán)苛的工作�(huán)境下�(yùn)��

參數(shù)

型號(hào):GJM0333C2A3R9CB01J
  類型:功率晶體管
  材料:氮化鎵(GaN�
  額定電壓�650V
  額定電流�33A
  �(dǎo)通電阻:3.3mΩ
  柵極電荷�80nC
  最大工作溫度:175�
  封裝形式:TO-247-4L

特�

1. 氮化鎵(GaN)材料提供更低的�(dǎo)通電阻和更高的開�(guān)頻率�
  2. �(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),有效減少寄生電感影��
  3. 高達(dá)650V的額定耐壓能力,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定��
  4. 超低�(dǎo)通電阻(�3.3mΩ�,顯著降低傳�(dǎo)損��
  5. 快速開�(guān)性能,支持MHz�(jí)別的工作頻率�
  6. 先�(jìn)的封裝技�(shù),提升散熱能力和可靠��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
  2. 通信基站中的功率放大�
  3. 工業(yè)�(jí)開關(guān)電源(SMPS�
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 電動(dòng)汽車充電�(shè)�
  6. �(shù)�(jù)中心電源模塊
  7. 激光雷�(dá)和其他高頻電子系�(tǒng)

替代型號(hào)

GJM0333C2A3R9CB01K

gjm0333c2a3r9cb01j推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)