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CSD16411Q3 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 20:49:01 查看 閱讀�31

CSD16411Q3 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由德州儀� (TI) 生產(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。其封裝形式� HTSSOP,并符合汽車� AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適用于�(yán)苛環(huán)境下的電力電子設(shè)��
  該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動以及電池管理系�(tǒng)等應(yīng)用中�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�5.5mΩ
  柵極電荷�29nC
  輸入電容�1180pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�
  封裝形式:HTSSOP

特�

CSD16411Q3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,能夠顯著降低開�(guān)損��
  3. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保在極端溫度和振動條件下的可靠��
  4. 高雪崩能力和�(qiáng)魯棒性,增強(qiáng)了器件在異常工作條件下的保護(hù)能力�
  5. 小巧� HTSSOP 封裝,便� PCB 布局和散熱管��
  6. 支持高電流密度設(shè)�,適合大功率�(yīng)用場��
  7. 提供�(yōu)異的熱性能,使器件能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

CSD16411Q3 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 汽車電子:如電動助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)、制動系�(tǒng)、空�(diào)壓縮�(jī)控制��
  2. 工業(yè)�(shè)備:如伺服電�(jī)�(qū)動、工�(yè)電源和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配器、平板電腦充電器��
  4. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:基站電源模塊、信號放大器供電電路�
  5. 新能源:太陽能逆變器、儲能系�(tǒng)中的功率管理部分�
  CSD16411Q3 憑借其高性能和可靠性,在這些�(yīng)用中表現(xiàn)卓越,成為工程師的首選解決方案�

替代型號

CSD18501Q5B, IRF3205, FDP55N06L

csd16411q3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
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csd16411q3資料 更多>

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csd16411q3參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C56A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 10A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds570pF @ 12.5V
  • 功率 - 最�2.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-24255-6