CSD16570Q5B是德州儀器(TI)生產的一款N溝道增強型功率MOSFET,采用先進的半導體制造工藝,具有出色的開關性能和低導通電�。該器件主要應用于高效能電源轉換、電機驅動、負載開關等場景,適合高頻工作條��
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�29A
導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷�11nC
開關速度:快�
封裝類型:DSO-N8
CSD16570Q5B是一款高效的功率MOSFET,其主要特點包括超低導通電阻和柵極電荷,能夠顯著減少傳導損耗和開關損耗。同�,該器件的高電流處理能力使其適用于大功率應用場合。此�,CSD16570Q5B具有較低的熱阻抗,有助于提升散熱性能,并且在高頻工作條件下仍能保持較高的效率�
CSD16570Q5B還具備良好的短路耐受能力和穩(wěn)定性,確保了系�(tǒng)在異常情況下的可靠�。通過�(yōu)化的封裝設計,該器件可以更方便地集成到緊湊型電路中�
CSD16570Q5B廣泛應用于各類高效能電力電子設備�,具體包括但不限于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS),如AC-DC適配�、DC-DC轉換器等�
2. 電機驅動電路,尤其是無刷直流電機(BLDC)控��
3. 負載開關和保護電路;
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
5. 各種工業(yè)自動化設備中的功率級控制部分�
CSD16340Q5B