CSD17318Q2是一款由TI(德州儀器)生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用SON-8封裝,具有低導通電阻和高效率的特點,適合用于開關電源、DC-DC轉換�、負載開關以及其他需要高效功率轉換的應用場景�
該MOSFET的額定電壓為30V,能夠滿足大多數(shù)低壓應用需�,同時其�(yōu)異的熱性能和電氣特性使其成為許多功率管理解決方案的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�24A
導通電阻(典型�,Vgs=4.5V):1.5mΩ
導通電阻(最大�,Vgs=4.5V):1.9mΩ
柵極電荷�16nC
輸入電容�700pF
總功耗:2.3W
工作溫度范圍�-55°C � 150°C
CSD17318Q2具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,支持高�24A的連續(xù)漏極電流�
3. 小型SON-8封裝,節(jié)省PCB空間并具備良好的散熱性能�
4. 快速開關速度,減少開關損��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保設��
6. 可靠性高,適用于嚴苛的工作環(huán)境�
CSD17318Q2廣泛應用于各種功率轉換和管理領域,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC轉換器的主開關或同步整流開關�
3. 負載開關,用于動�(tài)負載管理�
4. 電機�(qū)動電路中的功率開關�
5. 電池保護電路,用于過流保護和快速切��
6. 各類消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)設備和通信系統(tǒng)的功率管理模��
CSD17576Q5A, CSD17581Q5A, CSD18537Q5A