CSD18509Q5B這款40V�1mΩ、SON5x6NexFET?功率MOSFET旨在最大限度地減少功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中的損�。它適用于DC-DC�(zhuǎn)�、次�(jí)�(cè)同步整流器和電池電機(jī)控制�(yīng)用�
CSD18509Q5B
制造商 | 德州儀� |
制造商�(chǎn)品編�(hào) | CSD18509Q5B |
供應(yīng)� | 德州儀� |
描述 | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON |
零件狀�(tài) | 活� |
�(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)� | N通道 |
技�(shù) | MOSFET(金屬氧化�) |
漏源電壓(Vdss) | 40� |
電流 - 連續(xù)漏極(Id)@25°C | 100A(Ta) |
�(qū)�(dòng)電壓(Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V�10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm@32A,10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V@250μA |
柵極電荷 (Qg)(最大�)@Vgs | 195 nC@10 V |
Vgs(最�) | ±20V |
輸入電容 (Ciss) (Max)@Vds | 13900pF@20V |
功�(最�) | 3.1W(Ta), 195W(Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝方式 | 表面貼裝 |
供應(yīng)商設(shè)備包 | 8-VSON-CLIP (5x6) |
包裝/� | 8-PowerTDFN |
連續(xù)漏極電流(ID) | 38A |
漏源擊穿電壓 | 40� |
漏源電阻 | 1毫歐 |
漏源電壓(Vdss) | 40� |
柵源電壓(Vgs) | 20� |
輸入電容 | 13.9nF |
最大結(jié)�(Tj) | 150� |
最高工作溫� | 150� |
最大功� | 3.1� |
最低工作溫� | -55� |
通道�(shù) | 1 |
包裝 | 卷帶(TR) |
功� | 3.1� |
最� Rds | 1.2毫歐 |
上升�(shí)� | 19納秒 |
�(guān)斷延遲時(shí)� | 57納秒 |
�(kāi)啟延遲時(shí)� | 9納秒 |
高度 | 1.05毫米 |
�(zhǎng)� | 5毫米 |
厚度 | 950微米 |
寬度 | 5毫米 |
屬� | 描述 |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3 |
濕氣敏感�(MSL) | 1(�(wú)限制) |
REACH狀�(tài) | REACH受影� |
超低�(dǎo)通電�
低熱�
雪崩額定�
邏輯電平
�(wú)鉛端子電�
符合 RoHS
�(wú)�
SON 5mm × 6mm 塑料封裝
電源管理
電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
工業(yè)
CSD18509Q5B符號(hào)
CSD18509Q5B腳印
CSD18509Q5B封裝
型號(hào) | 制造商 | 品名 | 描述 |
CSD18509Q5BT | 德州儀� | MOS� | CSD18509Q5BT晶體�,MOSFET,N溝道,100A,40V,0.001ohm,10V,1.8V |
CSD18510Q5B | 德州儀� | MOS� | 40V、N溝道NexFETMOSFET?、單�、SON5x6�0.96mΩ8-VSON-CLIP-55to150 |