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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CSD18540Q5B

CSD18540Q5B 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 13:04:12 查看 閱讀�25

CSD18540Q5B 是一款由德州儀� (TI) 生產� N 通道增強型硅基氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET)。該器件采用先進的 GaN 技�,具有高效率、高頻性能和低導通電阻的特點。其設計適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換�、電機驅動等高效能應用�
  該器件將 GaN 的卓越性能與傳�(tǒng)硅基制造工藝相結合,提供出色的可靠性和性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  最大連續(xù)漏極電流�8A
  典型導通電阻:70mΩ
  柵極電荷�25nC
  開關頻率:高� 3MHz
  工作溫度范圍�-55� � 150�
  封裝形式:LLLP8

特�

CSD18540Q5B 具備以下關鍵特性:
  1. 高效的功率轉換能�,得益于低導通電阻和低柵極電荷的設計�
  2. 支持高頻操作,能夠顯著減小無源元件的尺寸,從而優(yōu)化系�(tǒng)整體效率�
  3. 內置全面的保護功�,例如過流保�、短路保護和熱關斷保護,確保在極端條件下依然安全運行�
  4. 提供�(wěn)定的電氣性能和可靠�,適應工�(yè)級應用需��
  5. 封裝緊湊,易于集成到小型化設計中�

應用

CSD18540Q5B 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC 轉換��
  2. 工業(yè)電機驅動和伺服控制系�(tǒng)�
  3. 太陽能逆變器和儲能設備中的高效功率轉換�
  4. 通信電源和服務器電源模塊�
  5. 快速充電適配器和其他消費類電子產品的高效率電源解決方案�

替代型號

CSD18536Q5B, CSD18541Q5B

csd18540q5b推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
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csd18540q5b資料 更多>

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csd18540q5b參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�27,401�(xiàn)�
  • 價格1 : �20.03000剪切帶(CT�2,500 : �10.17107卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Ta�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)2.2 毫歐 @ 28A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)4230 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta��195W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�8-VSON-CLIP�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN