CSD18540Q5B 是一款由德州儀� (TI) 生產� N 通道增強型硅基氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET)。該器件采用先進的 GaN 技�,具有高效率、高頻性能和低導通電阻的特點。其設計適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換�、電機驅動等高效能應用�
該器件將 GaN 的卓越性能與傳�(tǒng)硅基制造工藝相結合,提供出色的可靠性和性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�8A
典型導通電阻:70mΩ
柵極電荷�25nC
開關頻率:高� 3MHz
工作溫度范圍�-55� � 150�
封裝形式:LLLP8
CSD18540Q5B 具備以下關鍵特性:
1. 高效的功率轉換能�,得益于低導通電阻和低柵極電荷的設計�
2. 支持高頻操作,能夠顯著減小無源元件的尺寸,從而優(yōu)化系�(tǒng)整體效率�
3. 內置全面的保護功�,例如過流保�、短路保護和熱關斷保護,確保在極端條件下依然安全運行�
4. 提供�(wěn)定的電氣性能和可靠�,適應工�(yè)級應用需��
5. 封裝緊湊,易于集成到小型化設計中�
CSD18540Q5B 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC 轉換��
2. 工業(yè)電機驅動和伺服控制系�(tǒng)�
3. 太陽能逆變器和儲能設備中的高效功率轉換�
4. 通信電源和服務器電源模塊�
5. 快速充電適配器和其他消費類電子產品的高效率電源解決方案�
CSD18536Q5B, CSD18541Q5B