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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD19535KTT

CSD19535KTT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:51:40 查看 閱讀�22

CSD19535KTT是來(lái)自德州儀器(TI)的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用QFN封裝形式。該器件主要�(yīng)用于需要高效開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電池管理等�(yīng)�。其�(shè)�(jì)注重降低�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損�,從而提升系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型�,條件為Vgs=10V�
  柵極電荷�76nC
  輸入電容�1440pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

CSD19535KTT具備非常低的�(dǎo)通電阻,能夠顯著減少功率損�,特別適合高效率、高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��
  此外,其�(yōu)化的柵極電荷和開(kāi)�(guān)性能有助于實(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度,同�(shí)減少�(kāi)�(guān)損��
  該器件還具有�(jiān)固的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適用于汽車電子和工�(yè)�(lǐng)�?qū)煽啃院湍途眯砸筝^高的�(huán)��
  其QFN封裝形式不僅減小了PCB空間占用,還提供了優(yōu)良的熱性能�

�(yīng)�

CSD19535KTT廣泛用于各種高效功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用中,包括但不限于:
  1. 降壓和升壓DC-DC�(zhuǎn)換器
  2. �(fù)載開(kāi)�(guān)
  3. 汽車電源管理系統(tǒng)
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  5. 電池保護(hù)和管理電�
  6. 通信電源
  由于其出色的性能,這款MOSFET在需要大電流和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�

替代型號(hào)

CSD19536KTT, CSD19537KTT

csd19535ktt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 描述
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csd19535ktt參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �25.92000剪切帶(CT�500 : �16.23212卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)200A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3.4 毫歐 @ 100A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)98 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)7930 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DDPAK/TO-263-3
  • 封裝/外殼TO-263-4,D2Pak�3 引線 + 接片),TO-263AA