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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD87334Q3D

CSD87334Q3D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:48:53 查看 閱讀�31

CSD87334Q3D 是一款來自德州儀器(TI)的功率 MOSFET,采� NexFET 技�(shù)�(shè)�(jì)。這款芯片主要用于提高電源�(zhuǎn)換效率和功率密度,適合高頻開�(guān)�(yīng)�。它集成了優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)器和功率 MOSFET,能夠顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損��
  該器件采用了 QFN 封裝形式,具有較小的占板面積和良好的散熱性能,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��

參數(shù)

型號(hào):CSD87334Q3D
  類型:N 溝道功率 MOSFET
  VDS(漏源電壓)�60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�2.8mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
  Qg(總柵極電荷):25nC(典型值)
  封裝�3.5mm x 3.5mm QFN
  工作溫度范圍�-55°C � 150°C
  電流能力:高�(dá) 90A(峰值)

特�

CSD87334Q3D 提供了低�(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn),使其成為高� DC/DC �(zhuǎn)換器的理想選��
  1. 使用� TI � NexFET 技�(shù),實(shí)�(xiàn)了更低的�(dǎo)通電�,從而減少了�(dǎo)通損��
  2. 具有快速開�(guān)速度,可以有效減少開�(guān)損耗�
  3. 集成式設(shè)�(jì)�(jiǎn)化了 PCB 布局,同�(shí)提高了系�(tǒng)可靠��
  4. 小型 QFN 封裝有助于在緊湊型設(shè)�(jì)中實(shí)�(xiàn)更高的功率密度�
  5. 在寬廣的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能�

�(yīng)�

CSD87334Q3D 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景,例如�
  1. 筆記本電腦適配器和充電器中的同步整流電路�
  2. 工業(yè)� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  3. 電信�(shè)備中的電源模��
  4. 服務(wù)器和�(wǎng)�(luò)�(shè)備的電源管理�
  5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效功率�(jí)解決方案�
  其高效率和高頻性能使該器件成為�(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的一部分�

替代型號(hào)

CSD87350Q5D, CSD87351Q5D

csd87334q3d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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csd87334q3d�(chǎn)�

csd87334q3d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�2,500 : �5.41388卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N 溝道(雙)非�(duì)稱型
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss�30V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)20A
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)6 毫歐 @ 12A�8V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)8.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1260pF @ 15V
  • 功率 - 最大�6W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSON�3.3x3.3�