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CSD87351ZQ5D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 21:12:11 查看 閱讀�27

CSD87351ZQ5D是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,屬于GaN FET系列。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高效率等特�。它適用于高�、高效能的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)�,例如AC-DC適配�、電源模塊以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
  該芯片內(nèi)部集成了�(qū)�(dòng)電路和保�(hù)功能,能夠簡化設(shè)�(jì)�(fù)雜度并提高系�(tǒng)的可靠性。此�,其卓越的熱性能和緊湊的封裝尺寸使其非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�

參數(shù)

額定電壓�600V
  �(dǎo)通電阻:90mΩ
  柵極電荷�24nC
  連續(xù)漏極電流�8A
  封裝形式:LLP8
  工作溫度范圍�-55� to 150�
  輸入電容�1050pF

特�

CSD87351ZQ5D的核心優(yōu)�(shì)在于其使用了氮化鎵材�,這種寬禁帶半�(dǎo)體技�(shù)相比傳統(tǒng)硅基MOSFET提供了更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度。這使得它在硬開關(guān)和軟開關(guān)�?fù)渲芯憩F(xiàn)出色,并顯著減少能量損��
  此外,該器件具備以下特點(diǎn)�
  - 極低的反向恢�(fù)電荷(Qrr),有助于降低開關(guān)損��
  - �(nèi)置過溫保�(hù)�(jī)制,增強(qiáng)系統(tǒng)安全��
  - 高效的散熱能�,允許在高功率密度環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  - 小巧的封裝尺寸,為緊湊型�(shè)�(jì)提供支持�
  綜合以上�(yōu)�(diǎn),CSD87351ZQ5D特別適合要求高效�、小體積的應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于各種高性能電源管理�(lǐng)�,包括但不限于:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率因數(shù)校正(PFC)�(jí)�
  - DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是隔離式和非隔離式的降壓或升壓�?fù)�?br>  - 快速充電器和USB-PD適配�,以�(shí)�(xiàn)更小尺寸和更高效��
  - 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
  - �(shù)�(jù)中心及通信�(shè)備中的高效電源解決方案�
  CSD87351ZQ5D憑借其卓越性能,可幫助工程師優(yōu)化設(shè)�(jì)并滿足嚴(yán)格的能效�(biāo)�(zhǔn)�

替代型號(hào)

CSD87350Q5D
  CSD87352Q5D

csd87351zq5d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd87351zq5d資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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csd87351zq5d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�10,000Factory查看交期
  • �(jià)�2,500 : �8.31162卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N 溝道(雙)非�(duì)稱型
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss�30V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)32A
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)-
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)7.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1255pF @ 15V
  • 功率 - 最大�12W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerLDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-LSON�5x6�